Pin mặt trời hai mặt giúp tăng hiệu quả sản xuất điện

0

Loại pin mới do Đại học Quốc gia Australia chế tạo có hiệu suất chuyển đổi năng lượng mặt trước là 24,3%, mặt sau là 23,4%. 

Pin mặt trời hai mặt có hiệu quả vượt trội nhờ sử dụng kỹ thuật laser doping, Interesting Engineering hôm 23/8 đưa tin. Đây là kỹ thuật dùng laser để tăng độ dẫn điện cục bộ, được đánh giá là đầy hứa hẹn vì có nhiều ưu điểm, bao gồm việc sử dụng được ở nhiệt độ phòng, dễ kiểm soát một vài thông số. Ngoài ra, đây cũng là biện pháp chi phí thấp và phù hợp với công nghiệp để tăng hiệu quả của pin mặt trời.
Các chuyên gia chế tạo pin mặt trời có thể tạo ra điện ở cả hai mặt. Ảnh: Đại học Quốc gia Australia/Eric Byler
Nhờ laser doping, nhóm chuyên gia phát triển loại pin silicon hai mặt với hiệu suất chuyển đổi năng lượng phía trước là 24,3%, phía sau là 23,4%. Như vậy, tỷ lệ hiệu quả của mặt sau so với mặt trước lên tới 96,3%. Các chuyên gia cho biết, loại pin mới có hiệu quả sản xuất điện là 29%, vượt xa pin silicon một mặt tốt nhất. Kết quả đã được kiểm chứng độc lập bởi Tổ chức Nghiên cứu Khoa học và Công nghiệp Australia (CSIRO).
“Đây là kỷ lục thế giới với pin mặt trời sử dụng laser doping. Thiết bị mới cũng nằm trong số pin mặt trời hai mặt có hiệu suất cao nhất”, tiến sĩ Marco Ernst, trưởng nhóm nghiên cứu, cho biết.
Pin hai mặt tạo ra năng lượng từ cả hai phía. Nó có thể đón lượng ánh sáng được phản chiếu lại và chuyển thành điện năng. Theo tiến sĩ Kean Chern Fong, loại pin này hoạt động tốt hơn nhiều pin silicon một mặt, giúp tăng hiệu quả cho các dự án quang năng.
“Chúng tôi đã phát triển được pin hai mặt thực sự vì nó có khả năng sản xuất điện gần như tương đồng ở cả hai phía. Khi lắp đặt ở một trang trại quang năng thông thường, pin hai mặt sẽ hấp thụ ánh sáng chiếu vào trực tiếp, đồng thời tận dụng ánh sáng phản chiếu từ mặt đất, có thể góp phần tạo ra thêm 30% điện. Pin hai mặt ngày càng trở nên quan trọng trong việc xây dựng các trang trại quang năng và dự kiến sẽ có thị phần hơn 50% trong 5 năm tới”, Fong nói.
Pin mặt trời hai mặt được cấp bằng sáng chế lần đầu vào năm 1966. Chúng bắt đầu được dùng cho vệ tinh và tàu vũ trụ những năm 1970. Đầu những năm 2000, công cuộc nghiên cứu diễn ra nhanh hơn. Các tấm pin hai mặt đầu tiên được đưa ra thị trường vào năm 2012.
Một số trang trại quang năng lớn nhất thế giới đang sử dụng loại pin này. Nghiên cứu của nhóm chuyên gia tại Đại học Quốc gia Australia sẽ mở đường cho những tiến bộ mới về công nghệ năng lượng mặt trời trong bối cảnh thế giới đang hướng đến một tương lai xanh hơn.
Theo: VnExpress